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专利名称：一种具有TSV结构的MEMS芯片及其圆片级气密性
封装方法
专利类型：发明专利发明人：华亚平
申请号：CN2019111256.1申请日：20191118公开号：CN110713165A公开日：20200121
摘要：本发明公开了一种具有TSV结构的MEMS芯片及其圆片级气密性封装方法，本发明的MEMS芯片，在盖板的深槽内壁上覆盖一层绝缘氧化层，使其成为氧化深槽，并在氧化深槽内充满深槽多晶硅，成为TSV结构，MEMS结构的电信号既可以通过第一键合金属块和TSV导电柱连接到顶层金属图形上，也可以通过第二键合金属块、金属导线和深槽多晶硅连接到顶层金属图形上，达到了一个TSV结构导通二路电信号的目的。本发明的方法仅在盖板圆片制作步骤增加了蚀刻盖板下凹腔一个加工工序，就在深槽内壁覆盖绝缘氧化层形成氧化深槽，并在氧化深槽内充满深槽多晶硅，形成TSV结构，达到一个TSV结构导通二路电信号的目的，制造工艺简单，获得的MEMS芯片体积小，成本低。
申请人：安徽北方芯动联科微系统技术有限公司
地址：233042 安徽省蚌埠市财院路10号
国籍：CN
代理机构：蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司
代理人：王琪
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