二极管型号如何识别?
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发布时间：2022-04-23 09:02
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热心网友
时间：2022-06-18 19:20
二极管的型号命名通常根据国家标准 GB_249 — 74 规定，由五部分组成。
第一部分：用数字表示器件电极的数目。
第二部分：用汉语拼音字母表示器件材料和极性。
第三部分：用汉语拼音字母表示器件的类型。
第四部分：用数字表示器件序号。
工作原理
晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
以上内容参考：百度百科-二极管
热心网友
时间：2022-06-18 19:20
国产半导体器件的命名方法
二极管的型号命名通常根据国家标准 GB_249 — 74 规定，由五部分组成。
第一部分：用数字表示器件电极的数目。
第二部分：用汉语拼音字母表示器件材料和极性。
第三部分：用汉语拼音字母表示器件的类型。
第四部分：用数字表示器件序号。
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。如表 5 ． 1 所示。
表 5 ． 1 国产半导体器件的命名方法
第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分
符号 意义 字母 意义 字母 意义 字母 意义 意义 意义
2二极管AN 型，锗材料P普通X低频小功率
(fa<3MHz ， Pc<1W)反映二极管、三极管参数的差别反映二极管、三极管承受反向击穿电压的高低。如
A 、 B 、 C 、 D …其中 A 承受的反向击穿电压最低， B 稍高
BP 型，锗材料W稳压管
CN 型，硅材料Z整流管G高频小功率
(fa>3MHz ， Pc<1W)
DP 型，硅材料L整流堆
3三极管APNP 型，锗材料N阻尼管D低频大功率
(fa<3MHz ， Pc>1W)
BNPN 型，锗材料K开关管
CPNP 型，硅材料F发光管A高频大功率
(fa>3MHz ， Pc>1W)
DNPN 型，硅材料S隧道管
E化合物材料U光电管T可控硅
CS场效应管
BT特殊器件
2 ．日本半导体器件的命名方法
日本半导体器件命名型号由五部分组成。
第一部分：用数字表示半导体器件有效数目和类型。 1 表示二极管， 2 表示三
极管。
第二部分：用 S 表示已在日本电子工业协会登记的半导体器件。
第三部分：用字母表示该器件使用材料、极性和类型。
第四部分：表示该器件在日本电子工业协会的登记号。
第五部分：表示同一型号的改进型产品。具体符号意义如表 5 • 2 所示。
表 5 ． 2 日本半导体器件的命名
第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分
序号 意义 符号 意义 序号 意义 序号 意义 序号 意义
O光电二极管 或三极管S已在日本电子工业协会注 册登记的 半导体 器件APNP 高频晶体管多 位数 字该器件在日
本电子工业协会的注册登记号
A
B
C
D该器件为原
型号产品的改
进产品
BNP 低频晶体管
CNPN 高频晶体管
1二极管DNPN 低频晶体管
2三极管或有三个电极的其他器件EP 控制极可控硅
GN 控制极可控硅
HN 基极单结晶管
JP 沟道场效应管
3四个电极的器件 N 沟道场效应管
M双向可控硅
3 ．美国半导体器件的命名方法
美国电子工业协会半导体分立器件命名型号由五部分组成。
第一部分为前缀。
第二部分、第三部分、第四部分为型号基本部分。
第五部分为后缀。这五部分符号及意义如表 5 ． 3 所示。
表 5 ． 3 美国半导体器件的命名
第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分
用符号表示器件的类别 用数字表示 PN 结数目 美国电子工业协会注册标志 美国电子工业协会登记号 用字母表示器分挡
序号意义序号意义序号意义序号意义序号意义
JAN 或 J军用品1二极管N该器件是在美 国电子工业协会注册登记的半导体器件
